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Acemap > Paper > InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

2012 
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