Film transparent conducteur et procédé de fabrication de ce dernier, élément l'utilisant, substrat transparent conducteur, et dispositif utilisant ce dernier

La presente invention concerne un film transparent conducteur qui est realise selon un procede de revetement humide, et a des temperatures de chauffe inferieures a 300°C, ce film faisant preuve d'excellentes qualites de transparence, de conductivite, de resistance du film et de stabilite de resistance. L'invention concerne egalement un procede de fabrication du film transparent conducteur. Le procede de fabrication comprend: une etape de revetement dans laquelle un film de revetement comprenant un compose organometallique est realise sur un substrat; une etape de sechage dans laquelle on fait secher le film de revetement; une etape de soumission a un rayonnement thermique dans laquelle un film inorganique se forme a partir du film de revetement seche; et une etape de traitement au plasma dans laquelle le film inorganique subit un traitement au plasma. Lors de l'etape de soumission a un rayonnement thermique, le film inorganique est forme par rayonnement d'energie dans une atmosphere oxygenee a une temperature inferieure a 300°C. Lors de l'etape de traitement au plasma, le film inorganique subit un traitement au plasma dans une atmosphere de gaz non oxydant a une temperature de substrat inferieure a 300°C, ce qui favorise la mineralisation ou la cristallisation du film et aboutit a la formation d'une couche conductrice de microparticules d'oxyde qui est densement chargee de microparticules d'oxyde conducteur dont le composant principal est un oxyde de metal.