Techniques d'élimination des oxydes de cuivre

La presente invention concerne un procede d'elimination des oxydes de cuivre d'une structure contenant du cuivre et un dielectrique d'une puce a semi-conducteurs. La structure contenant du cuivre et un dielectrique peut etre rendue plane par planarisation mecano-chimique (CMP) et traitee en etant soumise a un procede d'elimination d'oxydes de cuivre et des residus de CMP. Un recuit sous hydrogene gazeux (H 2 ) et ultraviolets permet d'eliminer les oxydes de cuivre et un plasma pulse d'ammoniac permet d'eliminer les residus de CMP.