ESTUDIO DEL CRECIMIENTO DE K SOBRE GAAS(LLO) USANDO ESPECTROSCOPIA DE ELECTRONES AUGER Y ANÁLISIS DE COMPONENTES PRINCIPALES

Hemos estudiado el crecimiento de K sobre GaAs(110) usando espectroscopia de electrones Auger (EEA) y analisis de componentes principales (ACP). El ACP revela la existencia de 3 componentes independientes. Los espectros correspondientes a las dos primeras bases tienen la misma forma, desplazados una respecto de la otra 0.6 eV. Este no es compatible con un corrimiento continuo sino con la existencia de un desdoblamiento de la senal de K en dos componentes, este desdoblamiento sugiere la existencia de sitios de adsorcion inequivalentes en el GaAs o bien un efecto importante de la interaccion K-K en la formacion de agregados atomicos. La tercer componente que aparece desde el comienzo de la evaporacion revela que la interfase es reactiva.