Verfahren und vorrichtung zum rückätzen einer halbleiterschicht

Verfahren zum wenigstens teilweisen Ruckatzen einer Halbleiterschicht (1) eines Substrats (3), bei welchem das Substrat (3) zumindest teilweise in einer Atzlosung (5) angeordnet wird und bei welchem auserhalb der Atzlosung (5) gelegene Bereiche der Halbleiterschicht (3) mittels der Atzlosung (5) entstammender reaktiver Dampfe (11) wenigstens zum Teil abgetragen werden sowie Vorrichtung zur Durchfuhrung des Verfahrens.