Composition de resine epoxyde de scellement de semiconducteur et dispositif semiconducteur la contenant

L'invention concerne une resine epoxyde de scellement de semiconducteur contenant une resine epoxyde, une resine phenolique, un accelerateur de durcissement et une charge inorganique possedant les proprietes suivantes, de (X) a (Z) : (X) 50 a 500 poises de viscosite a 175 °C, telle que mesuree avec un appareil d'essai d'ecoulement, (Y) 1 x 105 poises ou moins de viscosite minimale a l'etat fondu, dans une repartition de temperature de viscosite, telle que mesuree a une vitesse de cisaillement de 5 (l/s) avec un appareil de mesure de viscoelasticite dynamique, et (Z) 2,0 ou plus de rapport de viscosite (Z1/Z2) d'une viscosite a 90 °C (Z1) par rapport a une viscosite a 110 °C (Z2), telle que mesuree a une vitesse de cisaillement de 5 (l/s) avec un appareil de mesure de viscoelasticite dynamique. La resine epoxyde de scellement de semiconducteur elimine toute possibilite de changement de position d'un element semiconducteur par ecoulement d'une resine lors du scellement et d'inclinaison d'une puce lors de la pose d'un fil metallique, et permet d'obtenir un dispositif semiconducteur hautement fiable.