Procede de transfert d'une couche mince de semi-conducteur cristallin

L'invention porte sur un procede de transfert d'une couche mince monocristalline d'un premier substrat sur un deuxieme substrat comportant les etapes suivantes: croissance epitaxiale d'une structure sandwich dont une partie sous contrainte est enfouie sous la couche mince monocristalline; et soulevement et transfert de la couche mince monocristalline, la separation etant concue pour se faire dans la couche enfouie en association avec l'introduction d'hydrogene.