撮像素子、撮像装置、製造装置および方法、並びに、半導体素子

【課題】暗信号のレベルを、より適切かつより容易に制御することができるようにする。 【解決手段】本技術の撮像素子は、入射光を光電変換する受光部が形成される半導体と、導体の配線と、前記半導体と前記配線とを接続する、複数の大きさのコンタクトよりなるコンタクト群とを備える。また、本技術の製造装置は、半導体と導体の配線とを接続する複数のコンタクトの大きさを設定する設定部と、前記半導体に、入射光を光電変換する受光部を含む素子を形成する半導体素子形成部と、前記設定部の設定に従って前記コンタクトを形成するコンタクト形成部と、前記配線を形成する配線形成部とを備える。本技術は、例えば、撮像素子、撮像装置、製造装置および方法、並びに、半導体素子に適用することができる。 【選択図】図４