Si(111)衬底上生长有多缓冲层的六方GaN晶格常数计算和应变分析

利用卢瑟福背散射/沟道技术和高分辨率X射线衍射技术对在Si(111)衬底上利用金属有机化合物气相外延技术(MOVPE)生长有多缓冲层的六方GaN外延膜进行结晶品质计算、晶格常数计算和应变分析. 实验结果表明：GaN外延膜的结晶品质为χ min =1.54%，已达到完美晶体的结晶品质(χ min =1%—2%)；GaN外延膜的水平方向和垂直方向晶格常数分别为：a epi ＝0.31903nm，c epi =0.51837nm，基本达到G