Procédé à pressurisation servant à la fabrication de couche métallique monoatomique, structure de couche métallique monoatomique et appareil à pressurisation servant à la fabrication de couche métallique monoatomique

L'invention porte sur un procede a pressurisation servant a fabriquer une couche metallique monoatomique. Le procede a pressurisation servant a fabriquer une couche metallique monoatomique, selon un mode de realisation de la presente invention, peut comprendre : une etape de dosage sous pression de gaz precurseur metallique servant, dans un etat dans lequel l'interieur d'une chambre comportant un substrat est scelle, a fournir un gaz precurseur de metal constitue de precurseurs de metal, ce qui permet d'augmenter la pression dans la chambre et provoque l'adsorption des precurseurs de metal sur le substrat ; une etape de purge principale servant a effectuer une purge apres l'etape de dosage sous pression de gaz precurseur de metal ; une etape de dosage de gaz de reaction servant a fournir un gaz de reaction apres l'etape de purge principale, ce qui permet de reduire les precurseurs de metal adsorbes sur le substrat en une couche metallique monoatomique ; et une etape de purge principale servant a effectuer une purge apres l'etape de dosage de gaz de reaction.