Hydrodynamic and energy-transport models for semiconductor device simulation: review of basic models

Гідродинамічні і енерготранспортні моделі виникли як могутні засоби для додаткового висвітлення складних нелокальних поведінок сучасних напівпровідникових пристроїв. Однак запропоновані формулювання розрізняються за складністю, а розв’язання цих рівнянь є набагато складнішим, ніж відомі рівняння поступової дифузії. В статті ми концетруємося на основних рівняннях, обумовлюються припущення і надається детальний перегляд найважливіших статей, які були опубліковані за даною темою. Hydrodynamic and energy-transport models have emerged as powerful means for gaining additional insight into the complex non-local behavior encountered in state-of-the-art semiconductor devices. However, several different formulations have been proposed which vary considerably in complexity. Furthermore, the handling of these equations is far more complicated than that of the robust and well studied drift-diffusion equations. In this paper we concentrate on the basic equations and the simplifying assumptions used in their derivation and give a detailed review of the most important papers published on this subject.