Procédés de fabrication de structures nanométriques ayant une taille contrôlée, structures à nanofils et procédés de fabrication de structures à nanofils

L'invention concerne des procedes de fabrication de structures semi-conductrices nanometriques ayant une taille controlee. L'invention concerne egalement des structures semi-conductrices (200, 300, 400, 500, 600, 700) comprenant un ou plusieurs nanofils (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704). Les nanofils peuvent comprendre une couche de passivation ou avoir une structure de tube creux.