Procede et dispositif pour former un film par depot de vapeur par plasma liquide de surface

La presente invention decrit un procede de formation de film par depot de vapeur qui comprend une etape qui consiste a remplacer un dispositif de generation d'onde de surface (10) utilisant une micro-onde dans une region a vide, une etape pour envoyer en continu un substrat de film plastique (13) dans la region a vide de maniere a s'opposer au dispositif de generation d'onde de surface, une etape pour fournir en continu un gaz de reaction contenant au moins un compose metallique organique dans la region a vide et une etape pour executer la reaction du plasma par l'onde de surface de la micro-onde du dispositif de generation d'onde de surface (10), formant ainsi en continu un film par depot de vapeur sur la surface du substrat de film (13). Ce procede permet de former en continu un film par depot de vapeur sur la surface du substrat de film, en particulier un film long, par le plasma d'onde de surface de la micro-onde.