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実用化に向けて加速するSiC半導体の周辺技術開発と次世代フェーズへの取り組み 16kV級超高耐圧SiC IE-IGBTの開発 | 文献情報 | J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンター
実用化に向けて加速するSiC半導体の周辺技術開発と次世代フェーズへの取り組み 16kV級超高耐圧SiC IE-IGBTの開発 | 文献情報 | J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンター
2014
yonezawa yosiyuki
mizusima satoru kyou
takenaka kensuke
fuzisawa hiroyuki
okamoto mituo
yosikawa man
matunaga sin'itirou
katou tomohisa
okamoto dai
harada sinsuke
tanaka ho gi
kumagaya naoki
deguti tyuugi
miyazima syou akira
kimura hirosi
takei gaku
ootuki akihiro
fukuda kenzi
okumura moto
kimoto tune nobu
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