МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ СТРУКТУРЫ “КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ”

Рассмотрена методика численного моделирования изменения тока стока структуры “кремний на изоляторе” полевого транзистора с непрямым затвором при воздействии тяжелой заряженной частицы. Для моделирования использованы программа SRIM и программный комплекс приборно-технологического моделирования TCAD Sentaurus фирмы Synopsys. На основе полученных результатов даны рекомендации по выбору геометрии транзистора.