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4H‐SiC金属‐酸化物‐半導体デバイスのための酸化物絶縁体と遷移層における電荷トラップにおけるNOアニール処理の効果【Powered by NICT】
4H‐SiC金属‐酸化物‐半導体デバイスのための酸化物絶縁体と遷移層における電荷トラップにおけるNOアニール処理の効果【Powered by NICT】
2016
Jia Yifan
Lv Hongliang
Niu Yingxi
Li Ling
Song Qingwen
Tang Xiaoyan
Li Chengzhan
Zhao Yanli
Xiao Li
Wang Liangyong
Tang Guangming
Zhang Yi-Men
Zhang Yuming
Keywords:
Quantum mechanics
Physics
Optics
Aerospace engineering
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