Old Web
空间用GaInP/GaAs/In0.3Ga0.7As（1 eV）倒装三结太阳电池研制
2013
采用阶变缓冲层技术（step-graded）外延生长了具有更优带隙组合的倒装GaInP/GaAs/In0.3Ga0.7As（1.0eV）三结太阳电池材料,TEM和HRXRD测试表明晶格失配度为2%的In0.3Ga0.7As底电池具有较低的穿透位错密度和较高的晶体质量,达到太阳电池的制备要求.通过键合、剥离等工艺制备了太阳电池芯片.面积为10.922cm2的太阳电池芯片在空间光谱条件下转换效率达到32.64%（AM0,25C）,比传统晶格匹配的GaInP/GaAs/Ge（0.67eV）三结太阳电池的转换效率提高3个百分点.
- Correction
- Source
- Cite
- Save
- Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI