Uniform single-layer graphene growth on recyclable tungsten foils

为了遇见升起，在电子学和光电子 graphene 要求为层厚度的有效控制的有效合成策略是高度必要的，发展。此处，我们在早转变金属的陪衬上报导严格地单个层的 graphene 的合成，钨(W) ，经由一条简单化学蒸汽免职线路。当随后的二维的生长被形成碳化物的能力在内在的体积以内调停时，裂开烃被 W 的催化地活跃的金属表面便于，导致一致单层 graphene 的形成。成长得当的 graphene 层能通过最近发达的电气化学的方法很快被转移到目标底层上，它也允许底层的复用没有介绍优秀恶化的至少五次。而且就 W 陪衬的倔强的性质而言，镍的一个互补部件被增加，借助于哪个 graphene 的生长温度能显著地被减少。简言之，一条高度有效、便宜的合成线路向大区域的一致性，单个层的厚度和高水晶的质量为 graphene 的生长被开发了。