Oxidation Kinetics of Silicon Nitride Ceramics: Influences of the Crystallisation and Additive Enrichment in the Oxide Scale

Cet article decrit les effets de la cristallisation et de l'enrichissement en ajout de la couche d'oxyde sur les cinetiques de l'oxydation passive. Il montre que les energies d'activation apparentes, usuellement deduites de la loi de croissance parabolique, doivent etre plus grandes que l'energie d'activation du processus diffusionnel limitant au sein de la couche amorphe, des lors que les impuretes ioniques diffusent a travers le film oxyde. Il explique aussi sous quelles conditions la croissance du revetement d'oxyde pourrait evoluer d'un regime parabolique vers un regime non-parabolique et se ralentir a haute temperature. Une methode directe de calcul est proposee et utilisee pour la determination de la diffusivite des especes reactives et du degre de cristallinite de la couche d'oxyde.