沉积温度和退火处理对Ba0．5Sr0．5TiO3介电性能的影响

采用射频磁控溅射法在ITO／Coming1737玻璃基片上制备了用于无机EL绝缘层厚约700hm的Ba0.5-Sr0．5TiO3介电薄膜，研究了沉积温度和退火处理对薄膜介电性能的影响。实验表明，随着沉积温度的升高，薄膜的介电常数、介电损耗、正反向漏电流密度增加，击穿场强下降。对于在500℃下沉积的薄膜在550～700℃、1．8×10^-2Pa氧气氛中进行30min退火处理，结果发现在550℃和600℃下热处理介电损耗有所改善，其它参数都劣化；在650℃-700℃下热处理介电常数显著增加，其它性能都变差。