Photovoltaische Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung

Die Erfindung betrifft eine Photovoltaische Solarzelle, umfassend eine Basis zur Absorption einfallender elektromagnetischer Strahlung und einen Emitter, wobei die Basis mindestens eine Basisschicht umfasst, welche aus monokristallinem Silizium oder multikristallinem Silizium mit einer Basisdotierung eines Basisdotierungstyps ausgebildet ist und der Emitter mindestens eine als amorphe Siliziumschicht (a-Si) oder als mikrokristalline Siliziumschicht (μ-Si) ausgebildete Emitterschicht umfasst und eine Emitterdotierung eines Emitterdotierungstyps, welcher dem Basisdotierungstyps entgegengesetzt ist, aufweist, und der Emitter an der Basis, gegebenenfalls auf einer oder mehreren dazwischenliegenden Zwischenschichten, angeordnet ist, zur Ausbildung eines Hetero-pn-Ubergangs. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass der Emitter mit einem Emitterdotierprofil ausgebildet ist, welches ausgehend von einer ersten, der Basisschicht zugewandten Oberflache des Emitters eine Dotierkonzentration aufweist, die zu einer zweiten, der Basisschicht abgewandten Oberflache des Emitters hin zumindest im Mittel ansteigt und mindestens zwei verschiedene positive Dotierkonzentrationswerte aufweist, und/oder dass die Solarzelle weiterhin ein BSF mit einer BSF-Dotierung des Basisdotierungstyps umfasst, wobei das BSF zumindest eine BSF-Schicht umfasst, welche als amorphe Siliziumschicht (a-Si) oder als mikrokristalline Siliziumschicht (μ-Si) ausgebildet ist und das BSF mit einem BSF-Dotierprofil ausgebildet ist, welches ausgehend von einer ersten, der Basisschicht zugewandten Oberflache des BSF eine Dotierkonzentration aufweist, die zu einer zweiten, der Basisschicht abgewandten Oberflache des BSF hin zumindest im Mittel ansteigt und mindestens zwei verschiedene positive Dotierkonzentrationswerte aufweist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle.