常压化学气相沉积法在Ag／Si（111）模板上生长ZnO薄膜及其性能研究

在Si衬底上利用磁控溅射的方法沉积1．5nm厚度的Ag膜用以阻挡Si衬底被氧化。采用常压金属有机化学气相沉积法（MOVCD），在Ag／Si（111）衬底上成功地生长出马赛克结构的ZnO薄膜。用光学显微镜观察表面形貌，结果显示有带晶向特征的微裂纹，裂纹密度为100cm^-1。依据X射线晶体衍射的结果，薄膜结晶质量良好，呈C轴高度择优取向。用双晶X射线衍射得到（002）面的ω扫描半峰宽为1．37°。温度10K时光致发光谱（PL）观察到自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线。结果表明，金属有机化学气相沉积法方法在Si（111）衬底上制备ZnO薄膜时，Ag是一种有效的缓冲层。