Transistors verticaux a effet de champ comprenant des nanotubes a semi-conducteurs formes dans un passage defini par un espacement

Des transistors verticaux a effet de champ ayant une zone de passage definie au moins par un nanotube semi-conducteur et des procedes de fabrication de tels transistors par depot chimique en phase vapeur utilisant un passage defini par un espacement. Chaque nanotube croit par depot chimique en phase vapeur catalyse par un coussinet de catalyse se trouvant au niveau de la base d'un passage a fort rapport d'aspect defini entre un espaceur et une electrode de grille. Chaque nanotube croit dans le passage avec une orientation verticale limitee par la presence de l'espaceur. Un espace peut etre menage sur la base de l'espaceur a distance de l'embouchure du passage. Des reactifs s'ecoulant a travers l'espace vers le coussinet de catalyse participent dans la croissance du nanotube.