Cmp is applied to a non-gate-last process planarization Preparation
2009
一种适用于后栅工艺无CMP平坦化的制备工艺,利用CMOS工艺中普遍采用的光刻胶,稀释后具有的良好的流动性来填充高低不平的图形的谷底,使旋涂胶后图形表面基本平坦。 以光刻胶为载体,利用光刻胶与LTO的速率差回刻方法,使凸起图形的LTO被铲去,器件有源区上有残留的胶保护而不受侵蚀,获得接近平坦的表面;再重复一次涂胶,使光刻胶与LTO以同等速率回刻,达到全平坦化目的。 然后再回刻介质至假栅电极露头,除净多晶硅假栅电极,沉积所需要的金属栅薄膜。 本发明不需要增加专门的设备,工艺简单,易于监控,与CMOS工艺兼容性更好,为后栅工艺中替代栅的集成提供了便利。
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