Procede et appareil de formation d'une couche de nitrure de silicium de haute qualite a basse temperature

L'invention concerne un procede de formation d'une couche de nitrure de silicium. Selon la presente invention, une couche de nitrure de silicium est deposee par decomposition thermique d'un gaz source contenant du silicium/de l'azote ou un gaz source contenant du silicium et d'un gaz source contenant de l'azote a de basses temperatures de depot (par exemple, inferieures a 550°C) afin de former une couche de nitrure de silicium. La couche de nitrure de silicium obtenue par depot thermique est ensuite traitee a l'aide de radicaux d'hydrogenes afin de former une couche de nitrure de silicium traitee.