박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법

박막 트랜지스터 기판은 기판 상에 배치되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 일부 중첩하여 상기 기판 상에 배치되고, 산화물 반도체 물질을 포함하는 반도체층, 및 상기 반도체층 상에 배치되는 소스 전극, 및 상기 반도체층 상에 상기 소스 전극과 이격되어 배치되는 드레인 전극을 포함한다. 여기서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 배리어층, 및 상기 배리어층에 배치되는 주배선층을 포함하고, 상기 배리어층은 상기 반도체층 상에 배치되는 제1 금속층, 및 상기 제1 금속층 상에 배치되는 제2 금속층을 포함할 수 있다.