SiCl4/TMAC-PC体系电沉积硅的研究

研究了硅在SiCl4/TMAC-PC体系中的阴极沉积过程,分析了电解质体系的热稳定性和电导率,研究电流密度、温度等因素对沉积层表面形貌的影响。结果表明,SiCl4的加入使得TMAC-PC体系热稳定性增强,电解质的电导率随温度的升高而增大,在318K、c（SiCl4）=0.5mol/L、电流密度i=15A/m^2、电沉积时间3h条件下得到的沉积层致密,呈球形颗粒状。