国际半导体技术发展路线图（ITRS）2012版综述（3）

将光刻技术向更小尺寸发展一直都很困难，今年也不例外。半导体行业需要在2012年年底之前为22nm半节距DRAM和16nm半节距闪存选择一种光刻方法，但目前为止仍没有明确的选择。氟化氩（ArF）浸入光刻技术并不能在40Hm及更小的半节距尺度有多大发展，