Ga掺杂改性ZnO（001）面对CO气敏机理的第一性原理计算

针对目前在理论上还未能解释清楚的ZnO的气敏机理问题，基于第一性原理结合Castep软件包研究了本征ZnO和Ga掺杂改性ZnO （001）面吸附CO分子后的电子结构和能带结构。研究结果表明：掺杂Ga后ZnO的（001）面的总电子态密度分布与掺杂前类似，带隙中未出现其他的电子态，但掺杂后ZnO表面CO吸附前后的电子态密度发生了显著的变化，价带和导带之间的间隙变小，费米能级进入导带。在此基础上，对Ga掺杂改性ZnO （001）面对CO的气敏机理进行了理论解释。