FinFET and its manufacturing method

本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。 FinFET的示例性结构包括：包含有主表面的衬底；具有第一宽度并且从衬底的主表面向下延伸至第一高度的多个第一沟槽，其中邻近的第一沟槽之间的第一间隔限定出第一鳍片；以及具有小于第一宽度的第二宽度并且从衬底的主表面向下延伸至大于第一高度的第二高度的多个第二沟槽，其中，邻近的第二沟槽之间的第二间隔限定出第二鳍片。 本发明提供了FinFET及其制造方法。