Analysis of light elements on Si wafer by vapor-phase decomposition/total reflection X-ray fluorescence.

気相分解(VPD)を組み合わせた全反射蛍光X線分析(TXRF), VPD/TXRF法によって, Siウェハー上の極微量Na及びAlの分析を行った. Na及びAlの高感度分析を行うために, W-Mα線を用いてTXRF測定を行った.従来のTXRFでは検出できなかった1011 atoms cm-2の汚染レベルの試料において,分析対象元素に帰属されるピークが明確に観測された.150mm径のウェハーに対してVPD処理を行った場合,検出下限値(LLD)は, LLD(Na)=3×1010 atoms cm-2, LLD(Al)=2×109 atoms cm-2であり,従来法と比較しておよそ2けた向上した.得られた結果を原子吸光法の結果と比較し,両者に良い一致が見られた.励起X線の視斜角を変化させたTXRF測定を行い,試料の付着形態を評価した.その結果,VPD処理によって,ウェハー上の分析対象物質の付着形態が,粒子状になることが確認された.