Dispositif de mémoire et son procédé de fabrication

L'invention concerne un dispositif de memoire non volatile a resistance variable utilisant un courant a charge spatiale limitee (SCLC) controle par un piege, et un procede de fabrication de celui-ci. Le dispositif de memoire comprend une electrode inferieure ; un film empechant la diffusion de film mince dielectrique entre les electrodes forme sur l'electrode inferieure ; un film mince dielectrique forme sur le film empechant la diffusion de film mince dielectrique entre des electrodes et ayant une pluralite de couches avec differentes densites de pieges de charge ; et une electrode superieure formee sur le film mince dielectrique.