Étude comparative de l'approche dans le domaine spectral et de la méthode des équations intégrales supérieures pour la simulation des lignes planaires en technologie monolithique microonde

L'objectif a moyen terme de ce travail consiste a modeliser des discontinuites de lignes planaires sur substrats semiconducteurs. Si pour les discontinuites de lignes planaires deposees sur des substrats sans pertes, de nombreuses etudes ont permis de progresser dans cette connaissance, il n'en est pas de meme pour les discontinuites sur substrats a pertes. Avec, a l'esprit, l'objectif a moyen terme decrit precedemment, l'auteur a repose le probleme en reprenant les analyses au point de depart. Ainsi une etude bibliographique a mis en valeur quelques methodes de simulation numerique afin de determiner prealablement de spectre de modes, le plus complet possible, de part et d'autre de la discontinuite. Parmi ces approches, deux methodes de simulation numerique ont ete retenues: l'Approche dans le Domaine Spectral et la methode des Equations Integrales Singulieres. Dans une premiere partie, l'auteur presente les ameliorations apportees a cette methode de simulation numerique connue : l'Approche dans le Domaine Spectral.