2 m大口径RB-SiC反射镜的磁控溅射改性

为了消除RB-SiC反射镜直接抛光后表面存在的微观缺陷，降低抛光后表面的粗糙度，提高表面质量, 针对大口径SiC的特性，选择Si作为改性材料，利用磁控溅射技术对2 m量级RB-SiC基底进行了表面改性。在自主研发的 Φ 3.2 m的磁控溅射镀膜机上进行基底镀膜，利用计算机控制光学成型法对SiC基底进行了抛光改性。实验结果表明，改性层厚度达到15 μ m；在直径2.04 m范围内，膜层厚度均匀性优于±2.5%；表面粗糙度由直接抛光的5.64 nm(RMS)降低到0.78 nm。由此说明磁控溅射技术能够用于大口径RB-SiC基底的表面改性，并且改性后大口径RB-SiC的性能可以满足高质量光学系统的要求。