Procédé de liaison et dispositif de liaison utilisé pour ce dernier

La presente invention concerne un procede de liaison faisant appel a l'execution d'une etape S3 de traitement de chauffe auxiliaire d'une puce semi-conductrice et d'un cadre, une pâte conductrice, comprenant des nanoparticules d'un metal ou d'un oxyde de metal, etant interposee entre eux. Consecutivement au traitement de chauffe auxiliaire, des vides dans des interfaces separant une couche de liaison, comprenant l'adhesif, et une puce semi-conductrice et un cadre sont supprimes. Apres l'etape S3 de traitement de chauffe auxiliaire, une etape S4 de traitement au plasma est executee par soumission intermittente de la puce semi-conductrice et du cadre a un rayonnement de plasma sous pression reduite. A la suite du traitement au plasma, des espaces existants entre la couche de liaison, qui comprend l'adhesif, deviennent uniformes. Consecutivement a l'etape S3 de traitement de chauffe auxiliaire et a l'etape S4 de traitement au plasma, les vides se trouvant au niveau des interfaces separant la couche de liaison et la matiere traitee sont supprimes et, par consequent, cela augmente la capacite de liaison. De plus, la soumission a un rayonnement de plasma etant executee de maniere intermittente, on peut par consequent supprimer le traitement de la temperature associe au traitement au plasma.