Contribution à l'assurance fiabilité de filières HEMTs à base de GaN sur substrat SiC : caractérisation électrique approfondie et modélisaton des effets parasites

Ces travaux s'inscrivent dans le cadre de la qualification des technologies GaN de UMS et plus particulierement celle de la technologie GH25, et a pour objectif d’apporter un soutien direct au developpement des technologies UMS a base de GaN. Le premier chapitre traite des generalites sur les HEMTs AlGaN/GaN. Le deuxieme chapitre est consacre a la description des technologies GH50 et GH25 de UMS. Les elements passifs de la technologie GH25 ont ete caracterises electriquement et thermiquement, puis des mesures de claquage utilisant une technique d’injection de courant de drain ont ete mises en oeuvre sur des HEMTs de la technologie GH50 afin d’evaluer l'aire de securite de fonctionnement. Le troisieme chapitre est dedie a l'etude des effets parasites rencontres sur les deux technologies GH50 et GH25.Chacun des effets parasites est decrit puis caracterise de facon approfondie. Le dernier chapitre se concentre sur l'etude de la fiabilite de la technologie GH25. Apres avoir presente les differentes variantes technologiques, les resultats des tests de vieillissement accelere mis en oeuvre a UMS sont analyses afin d'evaluer leur impact sur la fiabilite de la technologieGH25 et d’identifier les mecanismes de degradation et les effets parasites.