Couche de si : c à faible défaut avec profil de carbone rétrograde

La formation d'une couche de silicium monocristallin substitue par carbone est predisposee a la generation d'un grand nombre de defauts, notamment a une concentration elevee de carbone. La presente invention propose des structures et des procedes pour fournir une couche de silicium monocristallin substitue par carbone a faible defaut meme pour une concentration elevee de carbone dans le silicium. Selon la presente invention, le profil retrograde actif dans l'implantation du carbone reduit la densite de defaut dans la couche de silicium monocristallin substitue par carbone obtenue apres une epitaxie en phase solide. Ceci permet la formation de structures semi-conductrices avec une contrainte de compression et une faible densite de defaut. Appliquee a des transistors a semi-conducteurs, la presente invention permet d'obtenir des transistors a effet de champ de type N ayant une mobilite electronique amelioree grâce a la contrainte de traction qui est presente dans le canal.