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実質的無制限耐久性を用いたサブ10nmに埋め込まれたSTT‐MRAMのための2x nm直径の垂直MTJアレイとMgO障壁の系統的検証【Powered by NICT】
実質的無制限耐久性を用いたサブ10nmに埋め込まれたSTT‐MRAMのための2x nm直径の垂直MTJアレイとMgO障壁の系統的検証【Powered by NICT】
2016
Jimmy Kan
Chando Park
C. Ching
Jaesoo Ahn
Lin Xue
Rongjun Wang
A. Kontos
S. Liang
Mangesh A. Bangar
Hao Chen
Sajjad Hassan
S. Kim
Mahendra Pakala
Seung H. Kang
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