Matériau de recouvrement d'électrode, structure d'électrode et dispositif semi-conducteur

La presente invention concerne un dispositif semi-conducteur compose d'un transistor a effet de champ ayant une electrode de grille (13), une couche d'isolation de grille (14), une region de formation de canal (16) composee d'une couche de materiau semi-conducteur organique et une electrode de source/drain (15) composee de metal. Une partie de l'electrode de source/drain (15) en contact avec la couche de materiau semi-conducteur organique constituant la region de formation de canal (16) est recouverte d'un materiau de recouvrement d'electrode (21). Du fait que le materiau de recouvrement d'electrode (21) est compose de molecules organiques ayant un groupe fonctionnel qui peut etre lie a un ion metallique et un groupe fonctionnel lie a l'electrode de source/drain (15) composee de metal, une faible resistance de contact et une mobilite elevee peuvent etre obtenues.