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Mesures temporelles sous pointes de la stabilité pulse à pulse des transistors HEMT GaN de puissance
Mesures temporelles sous pointes de la stabilité pulse à pulse des transistors HEMT GaN de puissance
2017
Seifeddine Fakhfakh
Lotfi Ayari
Audrey Martin
M. Campovecchio
Guillaume Neveux
Denis Barataud
Keywords:
Transistor
High-electron-mobility transistor
Pulse (signal processing)
Electronic engineering
Materials science
Optoelectronics
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