Substrat en cristal de nitrure du groupe iii, substrat en cristal de nitrure du groupe iii possédant une couche épitaxiale, dispositif semi-conducteur et son procédé de fabrication

Dans un substrat en cristal de nitrure du groupe III (1) d'apres la presente invention, le substrat en cristal est represente par la valeur |d 1 -d 2 |/d 2 , d 1 etant la distance interreticulaire a une profondeur de penetration des rayons X de 0,3 µm et d 2 etant la distance interreticulaire a une profondeur de penetration des rayons X de 5 µm par rapport aux distances interreticulaires des plans de reseau cristallin paralleles specifiques obtenus par une mesure de la diffraction des rayons X dans laquelle la profondeur de penetration des rayons X a partir d'une surface principale (1s) du substrat en cristal est modifiee lorsque les conditions de diffraction des rayons X pour un quelconque plan de reseau cristallin parallele specifique du substrat en cristal de nitrure du groupe III (1) sont satisfaites ; la distorsion uniforme de la couche de surface du substrat en cristal est de 1,7×10 -3 et l'orientation du plan de la surface principale (1s) presente un angle d'inclinaison se situant entre -10o et 10o dans la direction a partir d'un plan (1v), qui comporte un axe c (1c), du substrat en cristal. Par consequent, la presente invention concerne egalement un substrat en cristal de nitrure du groupe III, un substrat en cristal de nitrure du groupe III possedant une couche epitaxiale, un dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication qui conviennent parfaitement a la production d'un dispositif electroluminescent dans lequel on regule un decalage vers le bleu de la lumiere emise.