Mg∶In∶LiNbO_3晶体波导基片光损伤性能研究
2003
在LiNbO3中掺入3%MgO和1%In2O3(摩尔分数,下同),采用Czochralski法生长了3%Mg:2%In:LiNbO3晶体。极化后,对晶体进行氧化和还原处理。利用光斑畸变法,测试了晶体在488.0nm波长下的抗光损伤能力,结果表明:Mg:In:LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高2个数量级以上。通过Li空位模型,研究了Mg:In:LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。利用苯甲酸质子交换法制备了几种晶体的光波导基片,并采用m—线法测试了y切型波导基片在632.8nm波长下的光损伤阈值,Mg:In:LiNbO3;光波导基片的抗光损伤能力也相应提高了2个数量级。
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