热丝电流对HWCVD制备α-Si∶H膜结构及钝化效果的影响

采用热丝化学气相沉积（HWCVD）方法沉积本征非晶硅薄膜,研究了热丝电流对薄膜结构及其钝化单晶硅片效果的影响。采用光谱型椭偏仪分析了非晶硅薄膜的介电常数虚部e2和薄膜空位浓度的变化,采用傅里叶红外光谱测试仪分析了膜中Si—HX键,使用硅片的少子寿命表征钝化效果。结果表明：在热丝电流（两根直径为0.5 mm的钽丝的总电流）为20.5~23.5 A时,随着热丝电流增大薄膜中空位浓度逐渐增大,薄膜中氢总含量在热丝电流约22.0 A时出现峰值,而此时薄膜微观结构参数R＊最小,钝化效果在约21.5 A处出现峰值,对应的表面复合速率低至2.9 cm/s。