Si1-xGex：C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响

用化学气相淀积方法，在Si（100）衬底上生长Si1-xGex：C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜，用x射线衍射（xRD）、俄歇电子能谱（AES）、拉曼（Raman）衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量，着重研究了Si1-xGex：C缓冲层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明：Si1-xGex：C缓冲层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低，其平均组分随着生长温度的升高而降低，这与较高生长温度（760～820℃）所导致的原子扩散效应相关；在Si1-xGex：C缓冲层上外延生长的Ge薄膜具有单一的晶体取向，薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低。