Ni-Ti-O纳米管阵列的制备与氢敏性能

掺杂是改善氧化钛纳米结构半导体特性的有效方法。在醇基电解液中,采用阳极氧化方法在TiNi合金表面成功制备出Ni-Ti-O纳米管阵列。通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）和X射线光电子能谱仪（XPS）等分析方法对纳米管阵列的表面形貌、微结构和热稳定性进行了表征,研究了退火后纳米管阵列的氢敏性能和抗干扰性。实验结果表明：在醇基电解质液中,采用阳极氧化方法在TiNi合金表面可制备出大面积均匀生长的Ni-Ti-O纳米管阵列,其管长约为220 nm,管径约为25 nm。经525℃热处理后其表面仍可保持规则的纳米阵列形貌。热处理后的Ni-Ti-O纳米管阵列在100℃对体积分数为0.1%的氢气具有良好的氢敏响应特性,对相同浓度的N2和NO则无明显响应。