of the same semiconductor device having inherent capacitances and methods for preparing

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (1) mit inharenten Kapazitaten (C GD , C DS ) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Dazu weist das Halbleiterbauelement (1) eine inharente Ruckwirkungskapazitat (C GD ) zwischen einer Steuerelektrode (9) und einer ersten Elektrode (10) auf. Auserdem weist das Halbleiterbauelement (1) eine inharente Drain-Source-Kapazitat (C DS ) zwischen der ersten Elektrode (10) und einer zweiten Elektrode (11) auf. Mindestens eine monolithisch integrierte Zusatzkapazitat (C Z ) ist parallel zu der inharenten Ruckwirkungskapazitat (C GD ) oder parallel zu der inharenten Drain-Source-Kapazitat (C DS ) geschaltet. Die Zusatzkapazitat (C Z ) weist eine erste Kondensatorflache (12) und eine der ersten Kondensatorflache (12) gegenuberliegende zweite Kondensatorflache (13) auf. Die Kondensatorflachen (12, 13) sind strukturierte leitende Schichten (14, 15) des Halbleiterbauelements (1) auf einer Oberseite (16) des Halbleiterkorpers (20), zwischen denen eine dielektrische Schicht (18) angeordnet ist und mindestens einen Zusatzkondensator (C Z ) bilden.