Verfahren zum Herstellen eines lateralen PNP- oder NPN-Transistors mit hoher Verstärkung und dadurch hergestellter Transistor

Verfahren zum Herstellen lateraler PNP- oder NPN-Transistoren in isolierten, monokristallinen Siliciumbereichen, die durch Siliciumdioxid-Isolationszonen isoliert sind, wobei die PNP- oder NPN-Transistoren innerhalb der isolierten monokristallinen Zone teilweise unterhalb der Oberflache des Halbleiters gebildet werden. Die P-Emitter oder N-Emitterdiffusion wird uber dem Abschnitt der Siliciumdioxid-Schicht durchgefuhrt, die sich teilweise in die isolierte monokristalline Zone hinein erstreckt. Durch diesen Aufbau wird die vertikale Strominjektion herabgesetzt, so das man eine relativ hohe (Beta) Verstarkung selbst bei kleinen Basis-Emitter-Spannungen erhalt. Der durch dieses Verfahren erzeugte laterale PNP- oder NPN-Transistor liegt in einer isolierten monokristallinen Siliciumzone, wobei die Siliciumdioxid-Isolation die Zone umgibt und teilweise unterhalb der Oberflache in die isolierte monokristalline Siliciumzone hineinreicht. Die P-Emitter- oder N-Emitter-Diffusion liegt uber dem Abschnitt der Siliciumdioxid-Schicht, der sich teilweise in die monokristalline isolierte Zone hineinerstreckt.