双方向フォトサイリスタチップ、光点弧カプラ、ソリッドステートリレー

【課題】チップ面積の増大を抑制し、１チップで光点孤して負荷制御できる。 【解決手段】半導体チップの表面に第１フォトサイリスタ部(４２a)と第２フォトサイリスタ部(４２b)とを備え、各フォトサイリスタ部は、一方の導電型のアノード拡散領域(４３)と、他方の導電型の基板と、上記一方の導電型のゲート拡散領域(４４)と、このゲート拡散領域(４４)内に形成されて上記他方の導電型のカソード拡散領域(４５)とを含むＰＮＰＮ部を有し、ダイシング面とゲート拡散領域(４４)との距離Ｘを４００μm以下にしている。こうして、オン時に、第１フォトサイリスタ部４２a側で発生した少数キャリアを、移動前に、第１フォトサイリスタ部４２a側のダイシング面に回収する。その結果、ショットキーバリアダイオードやチャネル分離領域を形成すること無く転流特性を大幅に向上でき、チップ面積の増大を抑制し、１チップで光点孤して負荷を制御できる。 【選択図】図１