Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
Моделирование вольт-амперной характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния 4H-SiC
Моделирование вольт-амперной характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния 4H-SiC
2016
С. Б. Рыбалка
Е. Ю. Краюшкина
В. А. Хвостов
А А Демидов
Keywords:
Thermionic emission
Analytical chemistry
Schottky diode
Silicon carbide
Materials science
Diode
Optoelectronics
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]