ＡｌxＧａ(1-x)Ａｓ基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ、赤外ＬＥＤ、ＡｌxＧａ(1-x)Ａｓ基板の製造方法、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外ＬＥＤの製造方法

本発明は、高い透過特性を維持し、かつデバイスを作製したときに高い特性を有するデバイスとなる、Ａｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ（０≦ｘ≦１）基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ、赤外ＬＥＤ、Ａｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ基板の製造方法、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外ＬＥＤの製造方法を提供する。 本発明のＡｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ基板１０ａは、主表面１１ａと、この主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ層１１を備えたＡｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ基板１０ａであって、Ａｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ層１１において、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘは、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘよりも高いことを特徴としている。またＡｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ基板１０ａは、Ａｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ層１１の裏面１１ｂに接するＧａＡｓ基板１３をさらに備えている。